中国科学院微电子研究所近日宣布，成功开发出具有自主知识产权的超临界二氧化碳无损伤清洗设备。这一突破性技术的问世，标志着我国在高端芯片制造和精密器件清洗领域取得了重要进展。
传统清洗工艺在微电子制造过程中往往会对精密器件造成损伤，而超临界二氧化碳清洗技术利用二氧化碳在超临界状态下的特殊物理性质，能够在不损伤器件表面的前提下实现高效清洁。该技术特别适用于对表面洁净度要求极高的芯片制造、MEMS器件等精密电子元件的清洗工艺。
此次研发成功的设备在多个关键技术指标上达到国际先进水平，实现了对微米级结构的无损清洗，清洗效率较传统工艺提升30%以上。该设备采用智能化控制系统，操作简便，且二氧化碳可循环使用，具有环保、节能的显著优势。
目前，该设备已进入产业化阶段，面向国内外半导体制造企业、科研院所等相关单位提供销售服务。这一创新成果不仅填补了国内在该领域的技术空白，更有望降低国内芯片制造企业对进口清洗设备的依赖，推动我国微电子产业向更高水平发展。
